* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG06100S-BN4MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 600V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 101,08087 USD 3466,23477 ₺ + KDV
100 + 94,46810 USD 3239,47174 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Technology Power Module
VCE Sat 1.45V
Diode With Diode
Current (Ic) 100A
Voltage 600V
Current (Ic) (25°C) 125A
Power Dissipation 330W
Mounting Type Chassis
Package / Case S3 Case
Current Temperature (IC) 70°C
Configuration Dual
Junction Temperature (Tj) 175°C
Packaging BOX
Hata Bildirin