* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG06100S-BN4MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 600V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 100,71396 USD 3256,69681 ₺ + KDV
100 + 94,12520 USD 3043,64188 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology Power Module
VCE Sat 1.45V
Manufacturer IXYS
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Current (Ic) (25°C) 125A
Power Dissipation 330W
Diode With Diode
Current (Ic) 100A
Voltage 600V
Mounting Type Chassis
Package / Case S3 Case
Current Temperature (IC) 70°C
Configuration Dual
Junction Temperature (Tj) 175°C
Packaging BOX
Hata Bildirin