IXBT2N250 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT2N250 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Stok 30
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 23,91750 USD 770,77479 ₺ + KDV
30 + 22,35280 USD 720,35027 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case TO268 (D3PAK)
VCE Sat 3.8V
Mounting Type SMT
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Current (Ic) (25°C) 5A
Current (Ic) 2A
Power Dissipation 32W
Rohs ROHS
Technology BiMOSFET
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 2.5kV
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Hata Bildirin