IXBT2N250 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT2N250 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Stok 10
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 26,23544 USD 1035,01160 ₺ + KDV
30 + 24,51910 USD 967,30056 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging TUBE
Voltage 2500V (2.5kV)
Technology BiMOSFET
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Current (Ic) (25°C) 5A
Current (Ic) 2A
Diode With Diode
Power Dissipation 32W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 3.8V
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin