IXBF50N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF50N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 168,24024 USD
25 + 160,22880 USD
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology BiMOSFET
VCE Sat 2.4V
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Current Temperature (IC) 110°C
Power Dissipation 290W
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Mounting Type THT
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Current (Ic) (25°C) 70A
Current (Ic) 28A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Voltage 3600V (3.6kV)
Hata Bildirin