IXBF50N360 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF50N360 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 163,00305 USD 6274,83501 ₺ + KDV
25 + 155,24100 USD 5976,03334 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
VCE Sat 2.4V
Technology BiMOSFET
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Mounting Type THT
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Current (Ic) (25°C) 70A
Current (Ic) 28A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 3.6kV
Power Dissipation 290W
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin