| Ürün Kodu |
MG8Q6ES1
|
|||||||||
| Ürün Açıklama | IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR | |||||||||
| Stok | 1 | |||||||||
| Gelecek Stok | Yok | |||||||||
| Teslimat Süresi |
Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
|
|||||||||
| Min. Paketleme Adedi | 10 | |||||||||
| Min. Sipariş Adedi | 1 | |||||||||
| Birim Fiyat |
|
| Ürün Özellikleri: | Tümünü Seç : | |
|---|---|---|
| Current Temperature (IC) | 25°C | |
| Operating Temperature | -40°C ~ +125°C | |
| Rohs | NON ROHS | |
| Diode | With Diode | |
| Power Dissipation | 50W | |
| Voltage | 1200V (1.2kV) | |
| Mounting Type | Chassis | |
| Package / Case | 45x107Case | |
| Current (Ic) | 8A | |
| VCE Sat | 3V | |
| Manufacturer | TOSHIBA | |
| Technology | GTR | |
| Current (Ic) (25°C) | 8A | |
| Configuration | Six | |
| Junction Temperature (Tj) | 150°C | |
| Packaging | BOX | |
| Hata Bildirin |
İLGİNİZİ ÇEKEBİLECEK DİĞER ÜRÜNLER
0,74003 USD
0,31903 USD
33,04961 USD
4,00000 USD
108,64469 USD
44,92488 USD
