* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG1275H-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 75A 1200V H CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 80
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 207,49502 USD 7987,56210 ₺ + KDV
80 + 197,61430 USD 7607,20200 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 75A
Power Dissipation 348W
Rohs ROHS
VCE Sat 1.7V
Configuration Six
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Package / Case H Case
Diode With Diode
Voltage 1.2kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type Chassis
Technology Power Module
Current (Ic) (25°C) 105A
Current Temperature (IC) 80°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin