* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG1250H-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V H CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 80
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 138,40554 USD 4465,44714 ₺ + KDV
80 + 131,81480 USD 4252,80680 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Manufacturer IXYS
Technology Power Module
Diode With Diode
Power Dissipation 260W
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 1.7V
Configuration Six
Mounting Type Chassis
Current (Ic) 50A
Voltage 1.2kV
Package / Case H Case
Current (Ic) (25°C) 75A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Packaging BOX
Hata Bildirin