IXGR60N60C3C1 - IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 ISOPLUS24


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGR60N60C3C1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 ISOPLUS24
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 31,80329 USD 1024,90551 ₺ + KDV
30 + 29,72270 USD 957,85562 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology GENX3
Package / Case ISOPLUS247
Current (Ic) (25°C) 75A
Mounting Type THT
VCE Sat 2.5V
Configuration Single
Power Dissipation 170W
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Diode With Diode SiC
Current (Ic) 30A
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 600V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Hata Bildirin