IXGR55N120A3H1 - IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGR55N120A3H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 39,37493 USD 1552,60468 ₺ + KDV
30 + 36,79900 USD 1451,03241 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology GENX3
VCE Sat 2.35V
Current Temperature (IC) 110°C
Rohs ROHS
Mounting Type THT
Package / Case ISOPLUS247
Packaging TUBE
Voltage 1200V (1.2kV)
Current (Ic) (25°C) 70A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Additional Documentation N/A
Manufacturer IXYS
Diode With Diode SiC
Current (Ic) 30A
Power Dissipation 200W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Hata Bildirin