IXBT16N170AHV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT16N170AHV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 60
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 19,58121 USD 772,49652 ₺ + KDV
30 + 18,30020 USD 721,95936 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 90°C
Power Dissipation 150W
Rohs ROHS
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 16A
Voltage 1700V (1.7kV)
Package / Case TO268 (D3PAK)
VCE Sat 6V
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Current (Ic) 10A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin