IXBT14N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET TO268 (D3


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT14N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 62,51518 USD
30 + 58,42540 USD
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Technology BiMOSFET
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Power Dissipation 200W
Additional Documentation N/A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current (Ic) (25°C) 38A
Current (Ic) 14A
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 2.2V
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Voltage 3000V (3kV)
Hata Bildirin