IXBF42N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 24A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF42N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 24A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok 25
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 110,60249 USD 3572,57087 ₺ + KDV
25 + 105,33570 USD 3402,44845 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type THT
Voltage 3kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Diode With Diode
Current (Ic) 24A
VCE Sat 3V
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Manufacturer IXYS
Current Temperature (IC) 110°C
Rohs ROHS
Power Dissipation 240W
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Package / Case ISOPLUSI4-PAC
Current (Ic) (25°C) 60A
Hata Bildirin