IXBF32N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 22A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF32N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 22A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 148,79970 USD 5728,23789 ₺ + KDV
25 + 141,71400 USD 5455,46466 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
VCE Sat 2.8V
Rohs ROHS
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Current (Ic) (25°C) 40A
Voltage 3kV
Packaging TUBE
Mounting Type THT
Power Dissipation 160W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
Technology BiMOSFET
Current (Ic) 22A
Current Temperature (IC) 90°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin