IXBF20N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF20N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok 25
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 105,86279 USD 4176,38214 ₺ + KDV
25 + 100,82170 USD 3977,50680 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) 14A
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Voltage 3000V (3kV)
Technology BiMOSFET
Current Temperature (IC) 110°C
Junction Temperature (Tj) 150°C
Package / Case ISOPLUSI4-PAC
Diode With Diode
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Mounting Type THT
Current (Ic) (25°C) 34A
VCE Sat 3.2V
Power Dissipation 150W
Packaging TUBE
Hata Bildirin