MWI50-12T7T - IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V TRENCH E2-PACK CHASSI


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MWI50-12T7T Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V TRENCH E2-PACK CHASSI
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 168,20801 USD 5768,13845 ₺ + KDV
6 + 160,19810 USD 5493,46519 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology Trench
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging BOX
Mounting Type Chassis
Current (Ic) 50A
Voltage 1.2kV
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
VCE Sat 1.7V
Power Dissipation 270W
Configuration Six
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case E2-Pack
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 80A
Current Temperature (IC) 80°C
Hata Bildirin