MKI100-12F8 - IGBT MOD.DIODE FOUR 85A 1200V H BRIDGE E3-PACK CHA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MKI100-12F8 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE FOUR 85A 1200V H BRIDGE E3-PACK CHA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 5
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 256,07190 USD
5 + 243,87800 USD
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 640W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Package / Case E3-Pack
VCE Sat 3.3V
Current (Ic) (25°C) 125A
Current Temperature (IC) 80°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Additional Documentation N/A
Technology H Bridge
Diode With Diode
Current (Ic) 85A
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Mounting Type Chassis
Configuration Four
Rohs ROHS
Voltage 1200V (1.2kV)
Hata Bildirin

Çerez kullanımı

Hizmetlerimizden en iyi şekilde faydalanabilmeniz için çerezler kullanıyoruz. ozdisan.com'u kullanarak çerezlere izin vermiş olursunuz. Çerez politikamız için tıklayın.