MII200-12A4 - IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MII200-12A4 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 2
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 248,41688 USD 8518,63695 ₺ + KDV
2 + 236,58750 USD 8112,98757 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
VCE Sat 2.2V
Mounting Type Chassis
Power Dissipation 1.13kW
Junction Temperature (Tj) 150°C
Package / Case Y3-DCB
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 80°C
Current (Ic) 180A
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Packaging BOX
Technology SOA Capability
Current (Ic) (25°C) 270A
Voltage 1.2kV
Configuration Dual
Rohs ROHS
Hata Bildirin