MID200-12A4 - IGBT MOD.DIODE SINGLE 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSI


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MID200-12A4 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SINGLE 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSI
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 2
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 205,93493 USD
2 + 196,12850 USD
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology SOA Capability
VCE Sat 2.2V
Manufacturer IXYS
Current (Ic) (25°C) 270A
Power Dissipation 1.13kW
Package / Case Y3-DCB
Current Temperature (IC) 80°C
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Mounting Type Chassis
Diode With Diode
Additional Documentation N/A
Voltage 1200V (1.2kV)
Current (Ic) 180A
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Packaging BOX
Hata Bildirin