* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG1225H-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 25A 1200V H CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 80
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 102,52772 USD 3515,84985 ₺ + KDV
80 + 95,82030 USD 3285,84098 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) 25A
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 80°C
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type Chassis
Configuration Six
Package / Case H Case
Technology Power Module
VCE Sat 1.7V
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Current (Ic) (25°C) 40A
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 147W
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Hata Bildirin