* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12200D-BN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 200A 1200V D3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 179,40699 USD 6152,17068 ₺ + KDV
30 + 170,86380 USD 5859,21017 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current (Ic) (25°C) 290A
VCE Sat 1.7V
Power Dissipation 1.05kW
Manufacturer IXYS
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Package / Case D3 Case
Current Temperature (IC) 80°C
Configuration Dual
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Technology Power Module
Diode With Diode
Current (Ic) 200A
Voltage 1.2kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging BOX
Hata Bildirin