* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG06150S-BN4MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 600V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 115,98342 USD 3977,26864 ₺ + KDV
100 + 110,46040 USD 3787,87490 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Technology Power Module
Junction Temperature (Tj) 175°C
VCE Sat 1.45V
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 150A
Package / Case S3 Case
Power Dissipation 500W
Configuration Dual
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Mounting Type Chassis
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 225A
Current Temperature (IC) 60°C
Voltage 600V
Packaging BOX
Hata Bildirin