IXGP30N60C3C1 - IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 TO220AB


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGP30N60C3C1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 TO220AB
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 50
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 15,17859 USD 489,15138 ₺ + KDV
50 + 14,18560 USD 457,15082 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Current Temperature (IC) 110°C
Power Dissipation 220W
Manufacturer IXYS
Technology GENX3
Current (Ic) (25°C) 60A
Mounting Type THT
Current (Ic) 30A
VCE Sat 3V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Package / Case TO220AB
Diode With Diode SiC
Voltage 600V
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin