IXBT42N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 76,87554 USD 3040,66596 ₺ + KDV
30 + 71,84630 USD 2841,74389 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Packaging TUBE
VCE Sat 3V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Current (Ic) (25°C) 104A
Current (Ic) 42A
Current Temperature (IC) 110°C
Additional Documentation N/A
Voltage 3000V (3kV)
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Technology BiMOSFET
Power Dissipation 500W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Hata Bildirin