IXBT42N170-TRL - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N170-TRL Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 400
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 25,54743 USD 831,95707 ₺ + KDV
400 + 23,87610 USD 777,52997 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TAPE&REEL
VCE Sat 2.8V
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) (25°C) 80A
Current (Ic) 42A
Power Dissipation 360W
Technology BiMOSFET
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current Temperature (IC) 90°C
Voltage 1.7kV
Configuration Single
Hata Bildirin