IXBT2N250-TR - IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT2N250-TR Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 400
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 26,31601 USD 1037,67441 ₺ + KDV
400 + 24,59440 USD 969,78916 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Rohs ROHS
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 3.8V
Mounting Type SMT
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Voltage 2500V (2.5kV)
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 5A
Current (Ic) 2A
Power Dissipation 32W
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Additional Documentation N/A
Packaging TAPE&REEL
Hata Bildirin