IXBT24N170 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 24A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT24N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 24A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 30
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 34,28719 USD 1105,70349 ₺ + KDV
30 + 32,04410 USD 1033,36775 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type SMT
Current Temperature (IC) 110°C
Package / Case TO268 (D3PAK)
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 60A
Configuration Single
Rohs ROHS
Diode With Diode
Current (Ic) 24A
Voltage 1.7kV
VCE Sat 2.5V
Manufacturer IXYS
Power Dissipation 250W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin