IXBF55N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF55N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 181,14359 USD 7142,72704 ₺ + KDV
25 + 172,51770 USD 6802,59718 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging TUBE
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 3000V (3kV)
Diode With Diode
VCE Sat 2.7V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Manufacturer IXYS
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Current (Ic) (25°C) 86A
Current (Ic) 34A
Rohs ROHS
Mounting Type THT
Technology BiMOSFET
Power Dissipation 357W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin