IXYN110N120B4H1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN110N120B4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer LITTELFUSE
Current (Ic) 110A
Current Temperature (IC) 110°C
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Packaging TUBE
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 218A
Technology GENX4
Voltage 1.2kV
VCE Sat 1.66V
Power Dissipation 830W
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 175°C
Hata Bildirin