TOSHIBA MG8Q6ES1 IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
TOSHIBA MG8Q6ES1 IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
*Bu ürün görseli temsilidir.

MG8Q6ES1

Üretici Firma
TOSHIBA
Üretici Ürün Kodu
MG8Q6ES1
Ürün Açıklaması
IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
Detaylı Açıklama
-
Üretici Standart Teslim Süresi

71-72 Hafta

Gelecek Stok
Yok
Datasheet
-
Müşteri Numarası

Ürün Detayları

TİPİ
AÇIKLAMA
Üretici Firma
Paket Tipi
BOX
Ürün Durumu
OBSOLETE
RoHS Durumu
RoHS Belgesiz
Montaj Tipi
Chassis
Kılıf / Kasa
45x107Case
Teknoloji
GTR
Diyot
With Diode
Akım (Ic) (25°C)
8 A
Akım (Ic)
8 A
Akım Sıcaklığı (IC)
25 °C
Voltaj
1200 V
VCE Sat
3 V
Güç Tüketimi
50 W
Konfigürasyon
Six
Jonksiyon Sıcaklığı (Tj)
150 °C
Çalışma Sıcaklığı
-40 °C ~ +125 °C
Ek Dokümantasyon
N/A
Stok:
1
MPQ:1
|
MOQ:1
|
Multiple:1
AmbalajMiktarBirim FiyatToplam Fiyat

Bilgi

Siparişinizi Türkiye saati (UTC+3) ile 14:00'ten önce vermeniz durumunda siparişiniz, aynı gün kargoya verilir.

Özdisan, ürün miktarına bağlı olarak siparişi bir sonraki iş gününde kargoya verme hakkını saklı tutar.