IXYS-LITTELFUSE IXGR55N120A3H1 IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
IXYS-LITTELFUSE IXGR55N120A3H1 IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
*Bu ürün görseli temsilidir.

IXGR55N120A3H1

Üretici Firma
IXYS-LITTELFUSE
Üretici Ürün Kodu
IXGR55N120A3H1
Ürün Açıklaması
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
Detaylı Açıklama
-
Üretici Standart Teslim Süresi

-

Gelecek Stok
Yok
Datasheet
Müşteri Numarası

Ürün Detayları

TİPİ
AÇIKLAMA
Üretici Firma
Paket Tipi
TUBE
Ürün Durumu
-
RoHS Durumu
RoHS Belgeli
Montaj Tipi
THT
Kılıf / Kasa
ISOPLUS247
Teknoloji
GENX3
Diyot
With Diode SiC
Akım (Ic) (25°C)
70 A
Akım (Ic)
30 A
Akım Sıcaklığı (IC)
110 °C
Voltaj
1200 V
VCE Sat
2.35 V
Güç Tüketimi
200 W
Konfigürasyon
Single
Jonksiyon Sıcaklığı (Tj)
150 °C
Çalışma Sıcaklığı
-55 °C ~ +150 °C
Ek Dokümantasyon
N/A
Stok:
0
MPQ:30
|
MOQ:1
|
Multiple:1
AmbalajMiktarBirim FiyatToplam Fiyat

Bilgi

Siparişinizi Türkiye saati (UTC+3) ile 14:00'ten önce vermeniz durumunda siparişiniz, aynı gün kargoya verilir.

Özdisan, ürün miktarına bağlı olarak siparişi bir sonraki iş gününde kargoya verme hakkını saklı tutar.